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歐姆降對電化學測試的影響
  • 發布時間 : 2020-05-20 14:55:08
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歐姆降為電流流過電解質引起的電位差,在電化學中,通常是由于電解質或其他界面的電阻引起的。

在伏安系統中,因為歐姆降的影響,它的施加電位應為E(t)=Ei+VbT-RI(t)Ei為極化電位,Vb為掃描速率,t即為時間。

歐姆降會影響測得曲線的形狀,也能令我們的分析結果出錯。在某些應用中,需要特別注意歐姆降的影響。

下面的這個實驗將展示歐姆降如何影響我們的測量結果。測試體系將旋轉圓盤鉑電極(2000rpm)作為工作電極,飽和甘汞電極作為參比電極,鉑絲作為輔助電極,測試溶液為0.6mM鐵氰化鉀/0.5M KCL電解質。測試技術為線性掃描,掃描范圍0.5V-0.5V掃速20mV/s

正常狀態測試一次后,在工作電極后串聯100歐姆電阻模擬歐姆降電阻再測一次。



在數據對比中可以清楚的看到歐姆降的影響,串聯電阻后的藍色曲線結果與正常測試結果對比產生了明顯的偏差。在相同電流時引起的電位差別就是因為串聯進體系的電阻引起的,比如在電流為-500μA時,電位分別為150mV98mV,與我們串聯進體系中的100歐姆電阻影響相對應。

同樣,在循環伏安中歐姆降也會對數據結果產生影響。

可以看到在循環伏安曲線中藍色曲線在峰電位及峰高都有一定偏差。



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